在當今日美壟斷led芯片核心技術的格局下，中國led企業如何攻破格局，實現技巧攻堅，促進led發展顯得尤為重鹵素燈要。目前，led襯底類別包括藍寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導體資料的氮化鎵。
與傳統襯底材料比較，氮化鎵具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽跟漂移速度高、抗輻射才干強跟良好的化學牢固性等優越特點，是迄今實際上電光、光電轉換效率最高的資料體系。時至本日，氮化鎵襯底絕對藍寶石、碳化計數器硅等襯底的性能優勢不問可知，最大艱苦在于價格過高。
厚膜的襯底產品方面：產品有10～50微米的不同規格，常用的是20～30微米。位錯密度在107cm～3量級，根據不同的技能參數可分為兩種即n型摻雜與半絕緣。n型摻雜主要運用于led等光電器件，半絕緣主要利用于電力電子、微波器件上。
自支持氮化鎵襯底方面：位錯密度在105cm-3量級，根據不同的技巧參數分為三種，即n型摻雜、半絕緣與非摻雜。n型六反相器氮化鎵，重要應用于led、激光器方面半絕緣則應用于高功率微波器件或大電流高電壓的開關上。非摻雜即高純度氮化鎵，在探測器上的運用較為廣泛，懇求材料的電子濃度越低越好。納維非摻雜氮化鎵產品，x射線半峰寬為50秒、半峰寬為80秒左右，塊體材料的電子遷徙率超過1計算機電纜500cmv-1s-1，處于國際前列水平。納維是國際上可能生產銷售氮化鎵自支撐晶片的少數多少個單位之一。
hvpe法成長gan自支撐襯底
hvpe主要是金屬鎵、氯化氫、氨氣，金屬鎵和氯化氫發生反應，生成氯化鎵，氯化鎵在200℃后變成氣體，以這個為原材料，進而通過在襯底名義上與氨氣反應變成氮化鎵。hvpe這種生成方法，在名義的化學飽跟度非常高，因此，其成長速度無比快，比mocvd的成長速度快50～100倍光傳感器，它一個小時能夠成長200～300個微米，可以在短時間內把這個材料變成高品德的氮化鎵，這是它的一個特點。
未來5年，氮化鎵的價格將下降10～20倍，4～6寸進入市場
當初led盛行的風潮下，氮化鎵作為半導體發光二極管應用于led照明也已經在中國發展得風起云涌。氮化鎵襯底上的同質外延與藍寶石襯底上的異質外延，單從技能角度上講，異質外延毛病密度比同質外延的氮化鎵高出2～3個數量級氮化鎵存在導電的特點，能夠做成垂直結構的芯片，這樣，外延片的利用面積比藍寶石的提高1.5倍做成垂直結構之后，氮化鎵上電流密度可能很高，冀望一個氮化鎵襯底上的芯片可以抵十個藍寶石襯底上的芯片。美國的sorra跟日本的ngk已經開始大力開發這類芯片，并取得主要沖破，達到同樣亮度，氮化鎵襯底上制作的led能耗比傳統芯片低一半以上。